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筑基万亿 向芯而行——天大设计总院全程设计拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目顺利主体封顶
2026-08-14
8月10日,以“筑基万亿,向芯而行”为主题的拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目主体封顶仪式在沈阳浑南区项目现场隆重举办。本次仪式由拓荆科技主办、中建八局协办,是国内集成电路产业领域极具代表性的标杆活动。为见证这一兼具产业价值与工程意义的重要里程碑,设计总院院长、总建筑师谌谦带队,副院长刘毓杰及项目设计团队代表赴现场出席盛典。
活动嘉宾阵容多元、产业覆盖面广:建设单位拓荆科技、设计单位天大设计总院、施工单位中建八局、监理单位北京兴电、咨询单位上海申元等参建单位负责人悉数莅临;半导体行业协会、产业投资机构、国内半导体龙头企业及产业链上下游配套企业代表齐聚现场,共同见证国产高端半导体装备产业园主体结构顺利落成。
仪式启动后,拓荆科技董事长吕光泉博士首先致辞。他向各参建单位、长期助力项目建设的各界同仁致以诚挚谢意,并指出,本项目的主体封顶既是工程建设的关键节点,也是拓荆科技冲刺 “千亿产值、万亿市值” 发展目标的重要依托,更是企业由国内行业领军者向全球一流半导体装备企业迈进的坚实基石。吕光泉博士在讲话中多次高度认可我院专业实力,充分肯定设计团队为项目推进提供的核心支撑。
谌谦院长在致辞中系统梳理了项目全周期设计攻坚历程,详细介绍了环形研发楼、高等级洁净厂房的技术创新成果,同步明确后续全周期技术服务保障举措。谌谦院长代表设计总院郑重表态:主体封顶是项目建设的阶段性胜利,更是提质创优、冲刺竣工的全新起点,项目即将全面开展机电安装、洁净车间专项施工、内外装饰及配套管网施工,多专业交叉作业集中,施工精度与管控标准将进一步提升。设计团队将坚守匠心,持续落实深化设计、图纸优化、现场技术交底等配套工作,高效衔接各施工工序,以高标准专业服务保障项目高品质落地。
致辞环节完毕后,业主单位、各参建单位和行业协会主要嘉宾共同推动启动推杆,正式开启封顶环节。随着吊装设备平稳作业,项目最后一根钢梁精准吊装就位,现场礼炮齐鸣,拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目主体封顶仪式圆满礼成。
作为拓荆科技扩产提质、稳固国内晶圆制造设备供应链安全的战略工程,本项目占地147亩,总建筑面积15.6万平方米,总投资近20亿元,涵盖研发测试中心、高标准洁净厂房、智能仓储及综合配套设施。项目标志性建筑1号环形研发楼外径180米、内径135米,单体建筑面积7万平方米,我院创新采用层间隔震混合结构体系,兼顾异形大空间造型、结构抗震安全与工程建设成本;3、4号洁净厂房对标全球顶级精密制造标准,针对微振动抑制、无尘环境管控、复杂管线综合排布等技术难点实现多项设计突破。
自项目启动以来,我院坚持“技术前置、全程服务”工作方针,跨专业统筹骨干设计力量,一体化推进项目全周期设计工作。建设期间,设计团队常态化对接施工现场,提前预判各类技术问题、动态优化施工图纸,联动施工、监理、咨询单位协同破解现场技术难题,保障项目按期达成主体封顶节点。项目全面投产后,拓荆科技薄膜沉积设备产能预计将提升四倍,可吸引近3000名高端半导体技术人才集聚沈阳,有效弥补国内高端芯片制造装备产能短板,为半导体装备产业技术迭代、构建自主可控完整产业链提供坚实硬件支撑。
本次封顶仪式受到多家主流媒体重点关注,辽宁卫视、沈阳电视台等媒体全程实地采访,并于当日晚间黄金档《辽宁新闻》推出专题报道。报道深度阐释基地扩充国产半导体装备产能、完善辽宁集成电路产业集群布局的战略意义,充分展现我院在高端集成电路产业园领域深厚的综合设计能力。
封顶启新程,筑芯向未来。下一阶段,设计团队将充分发挥天大设计总院综合技术优势,全程跟进项目后续建设环节,联合各参建单位同心协作、合力攻坚,加快推进项目竣工投产。未来,我院将持续深耕集成电路、高端装备制造产业园设计领域,持续输出高品质创新设计方案,以专业设计赋能国产半导体产业高质量发展,为我国集成电路产业链自主自强不断贡献天大设计智慧与力量。
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